中国团队在芯片领域获重要突破
14日，中国科学院半导体研究所等团队研制出新型“铁电隧穿结”，它利用原子层间仅埃米级的微小滑移，就能让开关电阻相差约1900万倍，还能反复开关超过1000亿次，为开发更省电、更耐用的存储和存算一体芯片提供新路径。
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- 首次收录：2026-09-14 23:11:15 UTC
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